Профиль » Публикация
Опубликовано
2002-00-00
ОрганизацияИнститут радиотехники и электроники Российской академии наук, 101999 Москва, Россия * Алматинский технологический университет, 480012 Алматы, Республика Казахстан
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
"LO-фононная" корреляция между спектром пикосекундной суперлюминесценции иособенностями спектра поглощения света вGaAs при нефермиевском распределении носителей заряда, генерированных пикосекундным импульсом света
Агеева Н.Н., Броневой И.Л., Кривоносов А.Н., Кумеков С.Е., Стеганцов С.В. "LO-фононная" корреляция между спектром пикосекундной суперлюминесценции иособенностями спектра поглощения света вGaAs при нефермиевском распределении носителей заряда, генерированных пикосекундным импульсом света // ФТП, 2002, том 36, выпуск 2, Стр. 144
Аннотация
Плотная электронно-дырочная плазма генерировалась в GaAs пикосекундным импульсом света. Во время генерации электронно-дырочной плазмы возникали пикосекундная суперлюминесценция и локальные отклонения спектра поглощения света от рассчитанного для фермиевского распределения электронно-дырочной плазмы. Отклонение в спектральной области усиления света (измеренное усиление меньше расчетного) называлось "дырой", а отклонение в области поглощения света (измеренное поглощение больше расчетного) называлось "выступом". Наблюдалась следующая корреляция. Форма дыры подобна как форме части спектра суперлюминесценции, расположенной в той же спектральной области, что и дыра, так иформе выступа в спектре поглощения. Спектральная ширина выступа, приблизительно равная ширине дыры, и спектральное расположение выступа относительно спектра суперлюминесценции определялись энергией продольного оптического фонона. Описанная корреляция связана с обеднением заселенностей уровней на дне зоны проводимости при суперлюминесценции и приходом электронов на эти уровни путем эмиссии продольных оптических фононов.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален