Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияИнститут радиотехники и электроники Российской академии наук, 141120 Фрязино, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Сегрегация подвижных ионов на границах раздела диэлектрик--полупроводник вМДП структурах

Дмитриев С.Г., Маркин Ю.В.

Дмитриев С.Г., Маркин Ю.В. Сегрегация подвижных ионов на границах раздела диэлектрик--полупроводник вМДП структурах // ФТП, 2002, том 36, выпуск 2, Стр. 205

Аннотация Рассмотрено равновесное распределение подвижных ионов в МДП (металл--диэлектрик--полупроводник) структурах с ионными поверхностными состояниями награнице раздела диэлектрик--полупроводник. Представлен расчет квазистатических вольт-амперных характеристик ионных токов в МДП структурах. Заселенность поверхностных состояний ионами описана с помощью распределения Гиббса.