Профиль » Публикация
Опубликовано
2002-00-00
ОрганизацияФизико-технический институт Министерства образования и науки Республики Казахстан, 480082 Алматы, Казахстан
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Кластеризация дефектов ипримесей вгидрогенизированном монокристаллическом кремнии
Абдуллин Х.А., Горелкинский Ю.В., Мукашев Б.Н., Токмолдин С.Ж. Кластеризация дефектов ипримесей вгидрогенизированном монокристаллическом кремнии // ФТП, 2002, том 36, выпуск 3, Стр. 257
Аннотация
Проведен анализ полученных к настоящему времени результатов по исследованию особенностей процессов дефектообразования в гидрогенизированном монокристаллическом кремнии. Показано, что наряду с другими эффектами взаимодействие атомов водорода с радиационными дефектами и примесями приводит к формированию крупных кластеров трех основных типов: вакансионных, межузельных и примесных. Основное условие, приводящее к образованию таких кластеров, это одновременное наличие в образце пересыщенных растворов водорода и дефектов. Взаимодействие водорода с примесями и дефектами инициирует распад пересыщенного раствора дефектов и примеси с образованием преципитатов. Это приводит к формированию кластеров, которые не наблюдаются в отсутствие водорода. Обсуждаются механизмы образования кластеров и их структура.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален