Профиль » Публикация

Аннотация Исследовано взаимодействие радиационных дефектов с атомами фосфора в кристаллах кремния в условиях различной степени пересыщения по отношению к равновесной концентрации примесей и точечных дефектов при облучении электронами и отжигах. Показано, что при облучении кремния дозовые зависимости изменения концентрации фосфора в узлах (Ps) выходят на участки насыщения. При этом уровень насыщения определяется температурой облучения. Стадии восстановления концентрации Ps при отжигах коррелируют с температурными интервалами диссоциации вакансионных комплексов. Полученные результаты подтверждают наличие двух процессов: 1)взаимодействие атомов легирующей примеси с собственными межузельными атомами кремния и появление межузельных комплексов, т. е. радиационно-стимулированный распад пересыщенного раствора примеси при генерации точечных дефектов и ионизации; 2)растворение межузельной примеси в вакансиях при достаточно высоких температурах, или аннигиляция освобождающихся при отжиге вакансий с межузельными атомами, входящими в состав сложных дефектных комплексов с участием атомов фосфора.