Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияИнститут радиотехники и электроники Российской академии наук, 101999 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Особенности электронного дрейфа всубмикронных GaAs-структурах

Гергель В.А., Кулькова Е.Ю., Мокеров В.Г., Тимофеев М.В., Хренов Г.Ю.

Гергель В.А., Кулькова Е.Ю., Мокеров В.Г., Тимофеев М.В., Хренов Г.Ю. Особенности электронного дрейфа всубмикронных GaAs-структурах // ФТП, 2002, том 36, выпуск 4, Стр. 496

Аннотация С помощью развитой квазигидродинамической модели субмикронного полевого транзистора исследовано влияние эффекта всплеска дрейфовой скорости на характер насыщения тока стока. Показано, что в субмикронных транзисторных структурах на основе многодолинных полупроводников насыщение тока стока определяется насыщением скорости дрейфа электронов в канале, обусловленным эффективным междолинным рассеянием. Показано также, что максимальная скорость дрейфа электронов в канале обратно пропорциональна длине затвора транзистора.