Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияНижегородский государственный университет им.Н.И.Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние водорода насвойства диодных структур сквантовыми ямами Pd/GaAs/InGaAs

Карпович И.А., Тихов С.В., Шоболов Е.Л., Звонков Б.Н.

Карпович И.А., Тихов С.В., Шоболов Е.Л., Звонков Б.Н. Влияние водорода насвойства диодных структур сквантовыми ямами Pd/GaAs/InGaAs // ФТП, 2002, том 36, выпуск 5, Стр. 582

Аннотация Исследовано влияние водорода на фотоэлектрические свойства и фотолюминесценцию диодных структур с квантовыми ямами Pd/GaAs/InGaAs. Выяснено влияние толщины анодного окисла GaAs на характеристики этих структур, и определена его оптимальная толщина для водородных сенсоров. Установлено существенное влияние металлических мостиков в тонких слоях окисла на вольт-амперные характеристики структур. Показано, что квантовые ямы повышают чувствительность структур к водороду. Сиспользованием квантовых ям как индикаторов дефектов обнаружено и исследовано образование дефектов при нанесении Pd-электрода на естественную и окисленную поверхность GaAs. Установлена возможность пассивации дефектов в квантовых ямах диодных структур путем введения атомарного водорода через Pd-электрод при обработке структур в атмосфере молекулярного водорода.