Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Образование комплексов, связанных сатомами селена, вкремнии

Таскин А.А., Тишковский Е.Г.

Таскин А.А., Тишковский Е.Г. Образование комплексов, связанных сатомами селена, вкремнии // ФТП, 2002, том 36, выпуск 6, Стр. 641

Аннотация Представлены результаты исследования процессов образования в кремнии комплексов, связанных с атомами селена. На основании анализа кинетики формирования донорных центров определены состав простейших комплексов и основные параметры их образования. Проведен анализ процесса полимеризации Se + Sen-1=<ftrightarrowSen атомов селена в кремнии, позволивший количественно описать особенности диффузии атомов селена из имплантированной области в глубину кристалла. Равновесная растворимость атомов селена в кремнии рассматривается как результат формирования ограниченной концентрации мономеров в процессах образования комплексов.