Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Левинский университет, Лаборатория физики полупроводников, B-3001 Левен, Бельгия &#36; Институт проблем машиноведения Российской академии наук, 199178 Санкт-Петербург, Росс ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Начальные стадии роста островковых алмазных пленок накристаллическом кремнии

Феоктистов Н.А., Афанасьев В.В., Голубев В.Г., Грудинкин С.А., Кукушкин С.А., Мелехин В.Г.

Феоктистов Н.А., Афанасьев В.В., Голубев В.Г., Грудинкин С.А., Кукушкин С.А., Мелехин В.Г. Начальные стадии роста островковых алмазных пленок накристаллическом кремнии // ФТП, 2002, том 36, выпуск 8, Стр. 910

Аннотация Представлены результаты исследования начальных стадий роста островковых алмазных пленок, полученных методом термического газофазного осаждения (hotfilamentCVD) на оптически полированном кристаллическом кремнии. Методом атомно-силовой микроскопии изучена эволюция островков, образовавшихся на начальных стадиях роста пленки, в процессе их отжига. Установлено, что на начальных стадиях роста изменение плотности островков происходит за счет коалесценции близко расположенных островков. Затем, при достижении островками критического размера, начинается оствальдовское созревание островков.