Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияСибирский физико-технический институт при Томском государственном университете, 634050 Томск, Россия * Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия &#36; Томский государственный университет, 634050 ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Легирование слоев GaAs кремнием вусловиях низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии

Вилисова М.Д., Куницын А.Е., Лаврентьева Л.Г., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р., Торопов С.Е., Чалдышев В.В.

Вилисова М.Д., Куницын А.Е., Лаврентьева Л.Г., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р., Торопов С.Е., Чалдышев В.В. Легирование слоев GaAs кремнием вусловиях низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии // ФТП, 2002, том 36, выпуск 9, Стр. 1025

Аннотация Сиспользованием методов рентгеновской дифракции, оптического поглощения вближнем инфракрасном диапазоне и эффекта Холла исследовано влияние условий роста на структуру и свойства слоев GaAs, выращенных методом низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии и легированных кремнием. Проанализирована связь между захватом избыточного мышьяка и электрофизическими свойствами слоев.