Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 Организация&#36; Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Industrial Technology Research Institute, Hsinchu 310, Taiwan, R.O.C. ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние локализации носителей наоптические свойства гетероструктур GaAsN / GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии

Воловик Б.В., Крыжановская Н.В., Сизов Д.С., Ковш А.Р., Цацульников А.Ф., Chi J.Y., Wang J.S., Wei L., Устинов В.М.

Воловик Б.В., Крыжановская Н.В., Сизов Д.С., Ковш А.Р., Цацульников А.Ф., Chi J.Y., Wang J.S., Wei L., Устинов В.М. Влияние локализации носителей наоптические свойства гетероструктур GaAsN / GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии // ФТП, 2002, том 36, выпуск 9, Стр. 1072

Аннотация Исследованы оптические свойства гетероструктур GaAsN / GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии, имеющих различную концентрацию азота вслоях. Показано, что оптические свойства слоев GaAsN висследованном диапазоне условий роста определяются рекомбинацией носителей через локализованные состояния, вызванные существенной неоднородностью распределения состава твердого раствора. Увеличение концентрации азота приводит кусилению неоднородности состава и увеличению энергии локализации носителей.