Профиль » Публикация
Опубликовано
2002-00-00
ОрганизацияКиевский национальный университет им.Т.Шевченко, 01033 Киев, Украина
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Прохождение носителей заряда вконтакте металл--сверхпроводящий полупроводник
Кузнецов Г.В. Прохождение носителей заряда вконтакте металл--сверхпроводящий полупроводник // ФТП, 2002, том 36, выпуск 9, Стр. 1077
Аннотация
Рассмотрены основные механизмы прохождения носителей заряда в контакте металл--сверхпроводящий полупроводник. Проведены расчеты вольт-амперной характеристики контакта для токов термоэлектронной, термополевой и туннельной эмиссии. Определены зависимости условий токопрохождения от значений параметров контакта и приложенного напряжения. Показано, что переход полупроводника в сверхпроводящее состояние приводит к уменьшению тока через контакт в интервале напряжений, определяемых высотой потенциального барьера и параметром энергетической щели сверхпроводника.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален