Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияТехнический университет, 380075 Тбилиси, Грузия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние концентрации основных носителей тока иинтенсивности облучения наэффективность введения радиационных дефектов вкристаллах n-Si

Пагава T.А., Башелейшвили З.В.

Пагава T.А., Башелейшвили З.В. Влияние концентрации основных носителей тока иинтенсивности облучения наэффективность введения радиационных дефектов вкристаллах n-Si // ФТП, 2002, том 36, выпуск 10, Стр. 1157

Аннотация Исследовалось влияние концентрации основных носителей тока (n) и плотности потока электронов (varphi) на эффективность введения радиационных дефектов (eta) вобразцах n-Si. Показано, что зависимость eta(varphi) имеет максимум, который сувеличениемn смещается всторону больших значенийvarphi. Наблюдаемый эффект объясняется существованием оптимального соотношения между концентрациями первичных радиационных дефектов, образующихся вединицу времени, изаряжающих их свободных носителей тока.