Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"


Димеры халькогенов вкремнии
Таскин А.А.
Таскин А.А. Димеры халькогенов вкремнии // ФТП, 2002, том 36, выпуск 10, Стр. 1163
Аннотация Проведено исследование структуры, химических свойств и энергий образования димеров халькогенов в кремнии с использованием квантово-химических расчетов из первых принципов методом Хартри--Фока. Определены равновесная геометрия, распределение электронной плотности и параметры химической связи атомов в решетке. Показано, что существенный вклад в полную энергию кристалла вносит релаксация решетки вокруг примесных дефектов. Предсказана стабильность димеров халькогенов, связанная с уменьшением полной энергии кристалла при их образовании. Полученные оценки энергии образования димеров хорошо согласуются с имеющимися результатами экспериментальных исследований реакций их формирования. Обсуждается геометрия, электронные и химические свойства примесных кластеров, содержащих до шести атомов халькогенов.

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален