Профиль » Публикация
Опубликовано
2002-00-00
ОрганизацияИнститут проблем машиноведения Российской академии наук, 199178 Санкт-Петербург, Россия *Institute of Physical Chemistry, University of Heidelberg, INF 253, 69120 Heidelberg, Germany
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Зарождение когерентных полупроводниковых островков при росте по механизму Странского--Крастанова, индуцированное упругими напряжениями
Кукушкин С.А., Осипов А.В., Schmitt F., Hess P. Зарождение когерентных полупроводниковых островков при росте по механизму Странского--Крастанова, индуцированное упругими напряжениями // ФТП, 2002, том 36, выпуск 10, Стр. 1177
Аннотация
Вреальном времени методом спектральной эллипсометрии исследовался рост островков Ge на двух типах поверхности Si (100) и (111). Обнаружено, что оба случая соответствуют росту Станского--Крастанова, т. е. вначале образуется смачивающий слой из Ge и лишь затем на поверхности этого слоя растут островки новой фазы. Однако на поверхности (100) зарождение островков сопровождается существенным уменьшением толщины смачивающего слоя, тогда как на (111) островки зарождаются и растут на смачивающем слое постоянной толщины. Так как на поверхности (100) атомы Ge переходят из смачивающего слоя в островки, существенно уменьшая при этом упругую энергию системы (но увеличивая поверхностную энергию), делается вывод о том, что в данном случае именно упругая энергия является основной движущей силой процесса зарождения островков. Развиты термодинамическая и кинетическая теория процесса зарождения островков из смачивающего слоя под действием упругой энергии. Введено новое понятие--- перенапряжение--- по аналогии с пересыщением и переохлаждением. Описана временная эволюция толщины смачивающего слоя, скорости зародышеобразования и поверхностной концентрации островков новой фазы. Проведено сопоставление теоретических результатов с экспериментальными данными, полученными эллипсометрическим моделированием, и показано их хорошее соответствие друг другу.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален