Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияИнститут электроники, 700143 Ташкент, Узбекистан * Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия &#36; Department of Materials Science and Engineering, University of California at Berkeley, CA 947 ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Исследование комплексов вакансионного типа вGaN иAlN методом аннигиляции позитронов

Арутюнов Н.Ю., Михайлин А.В., Давыдов В.Ю., Емцев В.В., Оганесян Г.А., Халлер Е.Е.

Арутюнов Н.Ю., Михайлин А.В., Давыдов В.Ю., Емцев В.В., Оганесян Г.А., Халлер Е.Е. Исследование комплексов вакансионного типа вGaN иAlN методом аннигиляции позитронов // ФТП, 2002, том 36, выпуск 10, Стр. 1186

Аннотация Импульсное распределение электрон-позитронных пар внитридах GaN иAlN впервые исследовано спомощью метода измерений одномерной угловой корреляции аннигиляционного излучения (1D-УКАИ). Установлено, что величина характеристического параметра электронной плотности r's (радиус сферы, занимаемой электроном), рассчитанная спомощью экспериментальных данных, заметно отличается от численного значения rs, оцененного на основе общепринятой модели независимых частиц: r's(AlN)~1.28rs и r's(GaN)~1.66 rs, где rs(AlN)~1.6091 а.е. и rs(GaN)~1.6568 а.е. Химическая природа атомов вокружении аннигилирующего позитрона вAlN иGaN определялась по величине электрон-позитронного ионного радиуса остовов Al3+, Ga3+ иN5+, который оценивался спомощью характеристик высокоимпульсного компонента кривых 1D-УКАИ. Основой анализа результатов служило сравнение величин электронной плотности иэлектрон-позитронного ионного радиуса остовов с\glqq эталонными\grqq значениями, полученными для металловAl, Ga и\glqq родственных\grqq нитридам материалов GaP, GaAs, GaSb. Сделано заключение одоминирующем процессе аннигиляции позитронов вобластях вакансионных комплексов, включающих всвой состав вакансии галлия иалюминия, VGa иVAl, идефекты замещения (антисайты) N+Ga иN+Al соответственно вGaN иAlN.