Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияБелорусский государственный университет информатики ирадиоэлектроники, 220027 Минск, Белоруссия * Санкт-Петербургский государственный технический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия + Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии на ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Фоточувствительность структур на основе тройных соединений I--IIIn--VIm супорядоченными вакансиями

Боднарь И.В., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Якушев М.В.

Боднарь И.В., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Якушев М.В. Фоточувствительность структур на основе тройных соединений I--IIIn--VIm супорядоченными вакансиями // ФТП, 2002, том 36, выпуск 10, Стр. 1211

Аннотация Выращены однородные кристаллы тройных соединений CuIn3Se5, CuGa3Se5, CuGa5Se8 иопределены их физико-химические параметры. На основе указанных соединений впервые созданы фоточувствительные структуры, исследованы спектральные зависимости относительной квантовой эффективности фотопреобразования иоценена ширина запрещенной зоны. Показано, что эти соединения являются материалами спрямыми межзонными переходами. Установлено, что ширина запрещенной зоны тройных соединений I--IIIn--VIm определяется природой исодержанием образующих элементарную ячейку атомов.