Профиль » Публикация

Аннотация Проведено моделирование образования донорных центров при отжиге слоев монокристаллического кремния FZ-Si (метод бестигельной зонной плавки) иCz-Si (метод Чохральского), имплантированных совместно ионами Er+ иO+. Решались численно диффузионно-кинетические уравнения, учитывающие образование эрбиевых донорных центров трех типов--- сучастием кислорода подложки или имплантированного кислорода, атакже собственных межузельных атомовI, образующихся при отжиге имплантационных нарушений, т. е. центров (Er--I), (Er--O) и(Er--O--I). Расчеты удовлетворительно описывают концентрационные профили донорных центров по глубине, атакже влияние кислорода подложки иимплантированного кислорода на зависимости коэффициента донорной активации эрбия от температуры отжига вдиапазоне 600--1200oC.