Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * INFM and Department of Materials Science, I-20126 Milan, Italy ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние плотности поверхностных состояний нафотолюминесценцию Si--SiO2-структур прикомнатной температуре вобласти зона-зонной рекомбинации кремния

Емельянов А.М., Соболев Н.А., Pizzini S.

Емельянов А.М., Соболев Н.А., Pizzini S. Влияние плотности поверхностных состояний нафотолюминесценцию Si--SiO2-структур прикомнатной температуре вобласти зона-зонной рекомбинации кремния // ФТП, 2002, том 36, выпуск 11, Стр. 1307

Аннотация Исследована взаимосвязь между интенсивностью зона-зонной фотолюминесценции в монокристаллическом кремнии и плотностью поверхностных состояний на границе кремний--<диоксид кремния> вSi--SiO2-структурах, изготовленных по технологии, используемой при промышленном изготовлении приборов с зарядовой связью. Для измерения плотности поверхностных состояний использовались отжиг Si--SiO2-структур в водороде иgamma-облучение.