Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияСанкт-Петербургский государственный электротехнический университет, 197376 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"


Влияние стоков собственных точечных дефектов на диффузию фосфора вкремнии
Александров О.В.
Александров О.В. Влияние стоков собственных точечных дефектов на диффузию фосфора вкремнии // ФТП, 2002, том 36, выпуск 11, Стр. 1345
Аннотация На основе модели диффузии фосфора вкремнии по дуальному парному механизму проведен количественный анализ влияния стоков, связанных со структурными дефектами. Показано, что учет стоков для собственных межузельных атомов приводит кзамедлению ускоренной диффузии фосфора вобласти малых концентраций на хвосте концентрационного профиля. Влияние стоков наиболее сильно выражено при положении максимума их концентрации вобласти максимума генерации собственных межузельных атомов внутри диффузионного слоя. Из сравнения расчетов сэкспериментальными данными определены параметры захвата собственных межузельных атомов на структурные дефекты, введенные диффузией фосфора иимплантацией электрически неактивных примесейGe иN.

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален