Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Университет Линчепинга, S-581 83 Линчепинг, Швеция ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Полумагнитные сверхрешетки типаII ZnMnSe/ZnSSe: рост имагнитолюминесцентные свойства

Торопов А.А., Лебедев А.В., Сорокин С.В., Салнышков Д.Д., Иванов С.В., Копьев П.С., Буянова И.А., Чен В.М., Монемар Б.

Торопов А.А., Лебедев А.В., Сорокин С.В., Салнышков Д.Д., Иванов С.В., Копьев П.С., Буянова И.А., Чен В.М., Монемар Б. Полумагнитные сверхрешетки типаII ZnMnSe/ZnSSe: рост имагнитолюминесцентные свойства // ФТП, 2002, том 36, выпуск 11, Стр. 1372

Аннотация Методом молекулярно-пучковой эпитаксии изготовлен образец сполумагнитной сверхрешеткой типаII ZnSSe/ZnMnSe. Образец выращен псевдоморфно на подложке GaAs, причем составы твердых растворов итолщины слоев выбраны таким образом, чтобы деформации сжатия вслое ZnMnSe компенсировали деформации растяжения вслое ZnSSe. Вспектрах фотолюминесценции вмагнитном поле наблюдается эффект \glqq гигантского зеемановского расщепления экситона\grqq. Моделирование величины сдвига линии люминесценции вмагнитном поле позволило уточнить разрывы зон на границе ZnSSe/ZnMnSe.