Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияПО \glqq Электромеханический завод\grqq, НТЦ \glqq Центробежные технологии\grqq, 198096 Санкт-Петербург, Россия * НПО \glqq Радиевый институт им. В.Г. Хлопина\grqq, 194021 Санкт-Петербург, Россия $ Ф ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"


Получение изотопно-чистых слоев кремния28Si методом газофазной эпитаксии
Годисов О.Н., Калитеевский А.К., Сафронов А.Ю., Королев В.И., Аруев П.Н., Бер Б.Я., Давыдов В.Ю., Забродская Н.В., Забродский В.В., Калитеевский М.А., Копьев П.С., Коварский А.П., Суханов В.Л.
Годисов О.Н., Калитеевский А.К., Сафронов А.Ю., Королев В.И., Аруев П.Н., Бер Б.Я., Давыдов В.Ю., Забродская Н.В., Забродский В.В., Калитеевский М.А., Копьев П.С., Коварский А.П., Суханов В.Л. Получение изотопно-чистых слоев кремния28Si методом газофазной эпитаксии // ФТП, 2002, том 36, выпуск 12, Стр. 1484
Аннотация Методом газофазной эпитаксии выращен слой изотопно-чистого кремния 28Si собогащением99.96%. Вторично-ионная масс-спектроскопия ирамановские измерения показывают высокое качество полученного эпитаксиального материала.
Ключевые слова публикации:
     
 http://www.ioffe.rssi.ru/journals/ftp/2002/12/p1484-1485.pdf
Показать статистику
Похожие публикации

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален