Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияПО &#92;glqq Электромеханический завод&#92;grqq, НТЦ &#92;glqq Центробежные технологии&#92;grqq, 198096 Санкт-Петербург, Россия * НПО &#92;glqq Радиевый институт им. В.Г.Хлопина&#92;grqq, 194021 Санкт-Петербург, Россия &#36; Фи ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Получение изотопно-чистых слоев кремния методом молекулярно-пучковой эпитаксии

Годисов О.Н., Калитеевский А.К., Сафронов А.Ю., Королев В.И., Бер Б.Я., Давыдов В.Ю., Денисов Д.В., Калитеевский М.А., Копьев П.С., Коварский А.П., Устинов В.М., Pohl H.-J.

Годисов О.Н., Калитеевский А.К., Сафронов А.Ю., Королев В.И., Бер Б.Я., Давыдов В.Ю., Денисов Д.В., Калитеевский М.А., Копьев П.С., Коварский А.П., Устинов В.М., Pohl H.-J. Получение изотопно-чистых слоев кремния методом молекулярно-пучковой эпитаксии // ФТП, 2002, том 36, выпуск 12, Стр. 1486

Аннотация Методом молекулярно-пучковой эпитаксии ствердотельным источником были выращены слои изотопно-чистого кремния 28Si и 30Si собогащением 99.93 и 99.34% соответственно. Методами вторичной ионной масс-спектроскопии и рамановского рассеяния света продемонстрированы высокая изотопная чистота и кристаллическое совершенство полученных слоев.