Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Национальной академии наук Украины, 01650 Киев, Украина ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Электрическая активность дислокаций иточечных дефектов деформационного происхождения вкристаллах CdxHg1-xTe

Гасан-заде С.Г., Старый С.В., Стриха М.В., Шепельский Г.А.

Гасан-заде С.Г., Старый С.В., Стриха М.В., Шепельский Г.А. Электрическая активность дислокаций иточечных дефектов деформационного происхождения вкристаллах CdxHg1-xTe // ФТП, 2003, том 37, выпуск 1, Стр. 8

Аннотация Генерация даже относительно невысокой плотности дислокаций Ndis=<q 107 см-2 приводит к значительным изменениям кинетических коэффициентов в кристаллах CdxHg1-xTe (x=0.20-0.21). Вкристаллах n-типа наряду с заметным ростом концентрации электронов происходит существенное уменьшение их подвижности. Вкристаллах p-типа в низкотемпературном диапазоне 4.2-40 K наблюдается переход от активационной проводимости к металлической, а также знакопеременное поведение коэффициента ХоллаRH в зависимости от температуры и магнитного поля. Основную роль в наблюдаемых изменениях играют не непосредственно дислокации, а электронные состояния точечных дефектов, образованных в процессе движения дислокаций. Вся совокупность данных находит свое объяснение в рамках представлений о формировании в матрице основного кристалла связанных каналов проводимости противоположного типа в виде трехмерной дислокационной сетки.