Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияНациональный университет Узбекистана им. М. Улугбека, 700174 Ташкент, Узбекистан ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Исследование фотоемкости диодов изкремния, легированного ванадием

Игамбердиев Х.Т., Мамадалимов А.Т., Муминов Р.А., Усманов Т.А., Шоюсупов Ш.А.

Игамбердиев Х.Т., Мамадалимов А.Т., Муминов Р.А., Усманов Т.А., Шоюсупов Ш.А. Исследование фотоемкости диодов изкремния, легированного ванадием // ФТП, 2003, том 37, выпуск 1, Стр. 29

Аннотация Фотоемкостным методом определены уровни ванадия вn- и p-Si. Показано, что в n-Si ванадий создает уровни только в верхней части запрещенной зоны с энергиями ионизации порядка Ec-0.21, Ec-0.52 эВ, в то время как в p-Si--- как в верхней, так и в нижней частях запрещенной зоны: Ec-0.26, Ev+0.31, Ev+0.42, Ev+0.52 эВ. Установлено, что для всех уровней ванадия сечения фотоионизации для электронов больше, чем для дырок. Показано, что концентрация электрически активных центров ванадия вn-Si и p-Si зависит как от концентрации примесей с мелкими уровнями, так и от времени диффузии ванадия вSi.