Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Электрофизические свойства структур Si : H/p-Si, полученных имплантацией водорода

Наумова О.В., Антонова И.В., Попов В.П., Стась В.Ф.

Наумова О.В., Антонова И.В., Попов В.П., Стась В.Ф. Электрофизические свойства структур Si : H/p-Si, полученных имплантацией водорода // ФТП, 2003, том 37, выпуск 1, Стр. 93

Аннотация Мультиэнергетичная (3-24 кэВ) имплантация водорода (винтервале доз 5· 1016-3· 1017 см-2) в пластины p-Si была использована для создания гидрированных слоевSi : H. Показано, что в результате имплантации формируются гетероструктуры Si : H/p-Si. После имплантации протекание тока через структуры контролируется механизмом Пула--Френкеля с энергией доминирующего эмиссионного центра Ec-0.89 эВ. Максимальной фоточувствительностью обладают структуры, облученные дозой водорода 3.2· 1017 см-2 и отожженные в диапазоне температур250-300o C. Ширина запрещенной зоны слоя Si : H составляет Eg~ 2.4 эВ, значение диэлектрической проницаемости varepsilon~ 3.2. Плотность состояний вблизи уровня Ферми (1-2)· 1017 см-3 эВ-1.