Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Nova Crystals, Inc., 174 Component Dr., San Jose, CA 95131 USA ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Особенности электролюминесценции инжекционных лазеров наоснове вертикально-связанных квантовых точек вблизи порога лазерной генерации

Гордеев Н.Ю., Зайцев С.В., Карачинский Л.Я., Копчатов В.И., Новиков И.И., Устинов В.М., Копьев П.С.

Гордеев Н.Ю., Зайцев С.В., Карачинский Л.Я., Копчатов В.И., Новиков И.И., Устинов В.М., Копьев П.С. Особенности электролюминесценции инжекционных лазеров наоснове вертикально-связанных квантовых точек вблизи порога лазерной генерации // ФТП, 2003, том 37, выпуск 1, Стр. 114

Аннотация Электролюминесцентным методом проведено исследование спектрального состава излучения лазерной гетероструктуры на основе вертикально-связанных квантовых точекInGaAs. Исследования проводились в широком диапазоне температур (77-300 K) и при различных плотностях тока накачки. Обнаружено, что во всем диапазоне температур лазерная генерация происходит через основное состояние квантовых точек. Предложено объяснение температурной независимости максимума излучения, соответствующего второму возбужденному состоянию в квантовых точках.