Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияИнститут радиотехники и электроники Российской академии наук, 141120 Фрязино, Россия * Московский государственный университет им.М.В.Ломоносова, 119899 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Самоорганизация лазерноиндуцированных точечных дефектов наначальных стадиях неупругих фотодеформаций германия

Винценц С.В., Зайцева А.В., Плотников Г.С.

Винценц С.В., Зайцева А.В., Плотников Г.С. Самоорганизация лазерноиндуцированных точечных дефектов наначальных стадиях неупругих фотодеформаций германия // ФТП, 2003, том 37, выпуск 2, Стр. 134

Аннотация Методом атомно-силовой микроскопии изучены особенности формирования поверхностного рельефа германия на начальных стадиях многократного фотодеформирования полупроводника. Упругие и неупругие деформации твердого тела вызывались его сканирующим импульсным лазерным облучением. Вовремя упругих фотодеформаций германия изменения исходного нанорельефа поверхности не детектируются, тогда как после неупругих деформаций мы обнаружили низкопороговое формирование упорядоченных поверхностных наноструктур. Обсуждается взаимосвязь эффекта с лазерно-индуцированной генерацией точечных дефектов вблизи порогов возникновения неупругих деформаций полупроводника.