Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Фоточувствительные структуры намонокристаллах ZnIn2Se4

Вайполин А.А., Николаев Ю.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И.

Вайполин А.А., Николаев Ю.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И. Фоточувствительные структуры намонокристаллах ZnIn2Se4 // ФТП, 2003, том 37, выпуск 4, Стр. 432

Аннотация Впервые получены фоточувствительные поверхностно-барьерные и гомопереходные структуры намонокристаллахn-ZnIn2Se4. Исследованы и обсуждаются спектральные зависимости квантовой эффективности фотопреобразования полученных структур. Сделан вывод оперспективности практического применения разработанных структур.