Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияЧерновицкий национальный университет, 58012 Черновцы, Украина ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Генерационно-рекомбинационные центры вCdTe : V

Косяченко Л.А., Паранчич С.Ю., Танасюк Ю.В., Склярчук В.М., Склярчук Е.Ф., Маслянчук Е.Л., Мотущук В.В.

Косяченко Л.А., Паранчич С.Ю., Танасюк Ю.В., Склярчук В.М., Склярчук Е.Ф., Маслянчук Е.Л., Мотущук В.В. Генерационно-рекомбинационные центры вCdTe : V // ФТП, 2003, том 37, выпуск 4, Стр. 469

Аннотация Исследованы генерационно-рекомбинационные токи вповерхностно-барьерных структурах на основе CdTe, легированного ванадием. Найдена глубина залегания исечение захвата уровней, ответственных за эффективную генерацию--рекомбинацию виспользуемых монокристаллах.