Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * НП &#92;glqq Центр по исследованию роста кристаллов&#92;grqq, 193036 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Полуизолирующие слои карбида кремния, полученные диффузией ванадия впористый 4H-SiC

Мынбаева М.Г., Лаврентьев А.А., Кузнецов Н.И., Кузнецов А.Н., Мынбаев К.Д., Лебедев А.А.

Мынбаева М.Г., Лаврентьев А.А., Кузнецов Н.И., Кузнецов А.Н., Мынбаев К.Д., Лебедев А.А. Полуизолирующие слои карбида кремния, полученные диффузией ванадия впористый 4H-SiC // ФТП, 2003, том 37, выпуск 5, Стр. 612

Аннотация Полуизолирующие слои карбида кремния получены диффузией ванадия впористый 4H-SiC. Диффузия проведена из пленки, полученной сораспылением кремния иванадия, исодержавшей 20%ванадия. Диффузионный профиль ванадия впористом карбиде кремния имел сложную структуру скоэффициентом быстрой диффузии 7·10-15 см2/с. Энергия активации удельного сопротивления диффузионно-легированных ванадием слоев пористого SiC была равна1.45 эВ. Удельное сопротивление легированных ванадием полуизолирующих слоев составило 5·1011 Ом·см при500 K ина 2 порядка превышало удельное сопротивление нелегированного пористого SiC. Полученные результаты указывают на перспективность использования пористого SiC для создания полуизолирующих подложек для приборных структур на основе широкозонных полупроводников.