Профиль » Публикация

Аннотация Исследованы процессы образования пассивированных водородом поверхностей внутри имплантированного водородом монокристаллического кремния, содержащего заглубленный, легированный бором слой. Методом адсорбционной инфракрасной спектроскопии показано, что состав водородосодержащих дефектов в кремнии, содержащем заглубленный, сильно легированный бором слой, и не содержащем такого слоя, одинаков при отжиге. Процессы блистеринга и отслаивания тонкой пленки ускоряются в присутствии сильно легированного слоя. Изменяются энергии активации соответствующих процессов. Таким образом, изменяется процесс развития полостей в таких слоях при термическом отжиге. Образование пассивированных водородом поверхностей происходит на глубине, соответствующей глубине проективного пробега ионов водорода, что также соответствует глубине залегания легированного бором слоя. При переносе тонкой пленки \glqq кремний-на-изоляторе\grqq наблюдалось уменьшение шероховатости ее поверхности в2-5раз.