Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияСанкт-Петербургский государственный электротехнический университет, 197376 Санкт-Петербург, Россия * Воронежский государственный педагогический университет, 394043 Воронеж, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Модель ослабления диффузии, ускоренной окислением, всильно легированных слоях кремния

Александров О.В., Афонин Н.Н.

Александров О.В., Афонин Н.Н. Модель ослабления диффузии, ускоренной окислением, всильно легированных слоях кремния // ФТП, 2003, том 37, выпуск 6, Стр. 649

Аннотация Предложена модель ослабления диффузии, ускоренной окислением, в сильно легированных слоях кремния посредством объемной рекомбинации собственных межузельных атомов на центрах, связанных с легирующей примесью. Учет рекомбинации избыточных собственных межузельных атомов, генерируемых при термическом окислении, позволяет описать зависимость ослабления диффузии, ускоренной окислением, от уровня легирования. Из анализа экспериментальных данных по диффузии, ускоренной окислением примесейB иP в изоконцентрационно-легированных слоях кремния, определены константы скорости ирекомбинации о оценены радиусы захвата при различных вариантах взаимодействия избыточных собственных межузельных атомов с примесными атомами и парами примесь-вакансия.