Профиль » Публикация

Аннотация Методом атомно-силовой микроскопии ватмосферных условиях исследовались топографические характеристики сколов структур Ge / Si, содержащих заращенные слои наноостровков GeSi. Показано, что релаксация упругих напряжений островков иприлегающих кним областей матрицы Si на свободной поверхности скола приводит кпроявлению локальных топографических особенностей на сколах структур. Обнаружено, что островки могут проявляться на поверхности скола ввиде двух типов топографических особенностей: ввиде бугорков, когда плоскость скола непосредственно пересекает островок, упруго сжатый вматрицеSi, или ввиде ямки, когда плоскость скола пересекает прилегающую костровку область Si-матрицы, подвергнутую растяжению. Выполненные исследования продемонстрировали возможности нового метода изучения заращенных наноостровков вцелях их обнаружения, оценки размеров, распределений по размерам, эффектов взаимодействия вмногослойных структурах, атакже выявления связанных сними деформаций.