Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияКазанский физико-технический институт Казанского научного центра Российской академии наук, 420029 Казань, Россия * Институт физики 1, Технический университет Аахена, D-52056 Аахен, Германия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Модификация наноструктуры алмазоподобных пленок углерода бомбардировкой ионами ксенона

Файзрахманов И.А., Базаров В.В., Степанов А.Л., Хайбуллин И.Б.

Файзрахманов И.А., Базаров В.В., Степанов А.Л., Хайбуллин И.Б. Модификация наноструктуры алмазоподобных пленок углерода бомбардировкой ионами ксенона // ФТП, 2003, том 37, выпуск 6, Стр. 748

Аннотация Изучено влияние бомбардировки тяжелыми ионамиXe (энергия Ei=80 кэВ) на оптические свойства, низкотемпературную проводимость и наноструктуру алмазоподобных пленок углерода(DLC). Установлены ряд специфических особенностей поведения графитоподобных нанокластеров, которые не наблюдаются при бомбардировке пленок легкими ионами. Вобласти низких доз облучения (D1.2· 1015 см-2) эффективная оптическая щель, определенная из зависимости Тауца, становится отрицательной, что связано с большой плотностью электронных состояний дефектов внутри щели. Вэтой области изменяется температурная зависимость проводимости, хотя сам механизм остается прыжковым. Ширина зоны дефектных состояний, образующейся в результате облучения, по которой осуществляется перенос зарядов, составляет0.07 эВ, что близко к ранее полученному нами значению.