Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияМосковский государственный университет им. М.В.Ломоносова, 119899 Москва, Россия * Philipps-Universitat Marburg, Fachbereich Physik, D-35032 Marburg, Germany + Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Рос ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Фотоиндуцированное изменение проводимости пленок аморфного гидрированного кремния, легированного эрбием

Казанский А.Г., Мелл Х., Теруков E.И., Форш П.А.

Казанский А.Г., Мелл Х., Теруков E.И., Форш П.А. Фотоиндуцированное изменение проводимости пленок аморфного гидрированного кремния, легированного эрбием // ФТП, 2003, том 37, выпуск 7, Стр. 793

Аннотация Исследовано изменение темновой проводимости пленок аморфного гидрированного кремния, легированного эрбием, a-Si : H(Er), врезультате их предварительного освещения при комнатной температуре. Изучено влияние компенсирующей примеси бора на фотоиндуцированное изменение проводимости пленок a-Si : H(Er). Установлено, что величина и знак изменения проводимости зависят от длительности освещения и положения уровня Ферми вщели подвижности. Рассмотрены возможные механизмы, приводящие кфотоиндуцированному изменению проводимости пленок a-Si : H(Er).