Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Свойства светодиодов, изготовленных наоснове структур InAsSbP / InAsSb, выращенных методом газофазной эпитаксии изметаллорганических соединений

Зотова Н.В., Кижаев С.С., Молчанов С.С., Воронина Т.И., Лагунова Т.С., Пушный Б.В., Яковлев Ю.П.

Зотова Н.В., Кижаев С.С., Молчанов С.С., Воронина Т.И., Лагунова Т.С., Пушный Б.В., Яковлев Ю.П. Свойства светодиодов, изготовленных наоснове структур InAsSbP / InAsSb, выращенных методом газофазной эпитаксии изметаллорганических соединений // ФТП, 2003, том 37, выпуск 8, Стр. 980

Аннотация Светодиоды (длина волны lambda=3.3-4.5 мкм) изготовлены на основе гетероструктур InAsSbP / InAsSb, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений. Применение метода газофазной эпитаксии позволило существенно увеличить содержание фосфора вбарьерных слоях (до50%) по сравнению страдиционным методом жидкофазной эпитаксии и,следовательно, улучшить ограничение носителей заряда вактивной области структур. Исследованы фотолюминесцентные свойства слоев InAsSb, электролюминесцентные свойства светодиодов, зависимости мощности излучения от тока. Изготовлены светодиоды двух типов: свыводом излучения через подложку (типA) исвыводом излучения через эпитаксиальный слой (типB). При комнатной температуре светодиоды вимпульсном режиме (скважность20) имели мощность излучения1.2 мВт.