Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияВоронежский государственный университет, 394693 Воронеж, Россия * Institut fur Oberflachen- und Mikrostrukturphysik, TU Dresden, Germay + Institut fur Experimentalphysik, Freie Universitat Berlin, Berlin, Germany # Физико-технический институт им. А.Ф.Иофф ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Синхротронные исследования энергетического спектра электронов внаноструктурах на основе A IIIB V

Домашевская Э.П., Терехов В.А., Кашкаров В.М., Турищев С.Ю., Молодцов С.Л., Вялых Д.В., Винокуров Д.А., Улин В.П., Конников С.Г., Шишков М.В., Арсентьев И.Н., Тарасов И.С., Алферов Ж.И. Синхротронные исследования энергетического спектра электронов внаноструктурах на основе A IIIB V // ФТП, 2003, том 37, выпуск 8, Стр. 1017

Аннотация Сиспользованием синхротронного излучения впервые получены спектры ближней тонкой структуры рентгеновского поглощения вобласти P-L2,3-краев зонного спектра, отражающие локальную плотность состояний взоне проводимости вследующих объектах: наноструктурах сквантовыми точками InP, выращенных на подложках GaAs<100> методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений, ивпористых слоях InP, полученных анодным импульсным электрохимическим травлением монокристаллических пластин InP< 100>. Во всех наноструктурах обнаружены квантово-размерные эффекты ввиде появления дополнительного уровня на расстоянии 3.3 эВ от дна зоны проводимости, атакже изменение ширины запрещенной зоны исследуемых материалов при размерном квантовании электронного спектра. Высказаны предположения озона-зонном происхождении спектров люминесценции висследованных наноструктурах.