Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияГосударственное предприятие Научно-исследовательский институт , Киев, Украина * Институт физики полупроводников им. В.Е.Лашкарева Национальной академии наук Украины, 03028 Киев, Украина ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Фазовые и структурные изменения в многослойных контактах кn-GaAs, стимулированные быстрыми термическими обработками

Болтовец Н.С., Иванов В.Н., Конакова Р.В., Литвин П.М., Литвин О.С., Миленин В.В., Прокопенко И.В.

Болтовец Н.С., Иванов В.Н., Конакова Р.В., Литвин П.М., Литвин О.С., Миленин В.В., Прокопенко И.В. Фазовые и структурные изменения в многослойных контактах кn-GaAs, стимулированные быстрыми термическими обработками // ФТП, 2003, том 37, выпуск 9, Стр. 1138

Аннотация Исследовались фазовые, структурные и электрофизические свойства многослойных контактных систем Au--Mo--TiBx--AuGe--GaAs, используемых в технологическом процессе формирования диодов Ганна на основе GaAs. Дои после быстрых термических обработок в атмосфере водорода при T=400, 600 и800oC в течение60 с исследовались: фазовый состав и уровень остаточных механических напряжений методом рентгеновской дифракции; морфологические особенности поверхности пленок золота--- методом атомно-силовой микроскопии; вольт-амперные характеристики вобласти слабого электрического поля. Показано, что вплоть до температуры отжига T=600oC сохраняются буферные свойства TiBx. Установлена роль внутренних механических напряжений в деградации омических контактов Au--Mo--TiBx--AuGe--GaAs.