Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Institute of Physics, Academy of Sciences of the Czech Republic, 16253 Prague6, Czech Republic ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Электролюминесценция вполуметаллическом канале на одиночной разъединенной гетерогранице IIтипа

Моисеев К.Д., Михайлова М.П., Яковлев Ю.П., Освальд И., Гулициус Э., Панграц И., Шимечек Т.

Моисеев К.Д., Михайлова М.П., Яковлев Ю.П., Освальд И., Гулициус Э., Панграц И., Шимечек Т. Электролюминесценция вполуметаллическом канале на одиночной разъединенной гетерогранице IIтипа // ФТП, 2003, том 37, выпуск 10, Стр. 1214

Аннотация Изучена излучательная рекомбинация вблизи разъединенной гетерограницы IIтипа p-GaInAsSb / p-InAs винтервале температур 4-100 K. Показано, что полоса электролюминесценции hnuA=0.37 эВ может быть приписана вбольшей степени рекомбинации электронов из полуметаллического канала вблизи интерфейса сучастием глубокого акцепторного уровня на границе раздела, тогда как полоса hnuB=0.40 эВ отвечает за излучательные переходы вобъеме InAs на мелкий природный акцептор. Участие интерфейсных состояний врекомбинации через гетерограницуII типа GaInAsSb / InAs становится значительным за счет перекрытия волновых функций дырок, локализованных вблизи границы раздела со стороны твердого раствора, сволновыми функциями состояний на глубоком акцепторе.