Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Минский научно-исследовательский институт радиоматериалов, 220024 Минск, Белоруссия + АОЗТ &#92;glqq Светлана--Электронприбор&#92;grqq, 194021 Сан ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Конструкция итехнология изготовления вертикально излучающих лазеров снепроводящими эпитаксиальными зеркалами

Малеев Н.А., Ковш А.Р., Жуков А.Е., Васильев А.П., Михрин С.С., Кузьменков А.Г., Бедарев Д.А., Задиранов Ю.М., Кулагина М.М., Шерняков Ю.М., Шуленков А.С., Быковский В.А., Соловьев Ю.М., Moller C., Леденцов Н.Н., Устинов В.М. Конструкция итехнология изготовления вертикально излучающих лазеров снепроводящими эпитаксиальными зеркалами // ФТП, 2003, том 37, выпуск 10, Стр. 1265

Аннотация Рассматриваются конструктивно-технологические проблемы при создании структур полупроводниковых вертикально излучающих лазеров снепроводящими распределенными брэгговскими отражателями, полученныx методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Вертикально излучающие лазеры сактивной областью сформированы на основе квантовых ям InGaAs, с нижним полупроводниковым и верхним оксидированным брэгговскими отражателями при диаметре оксидированной апертуры 7--12 мкм. Приборы демонстрируют лазерную генерацию внепрерывном режиме при комнатной температуре спороговыми токами 0.5--1.5 мА, дифференциальной эффективностью до 0.5 мВт/мА и максимальной выходной мощностью до 3 мВт.