Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия + Белорусский государственный университет информатики и рад ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Фоточувствительные структуры намонокристаллах CdGa2S4

Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Вайполин А.А., Боднарь И.В., Fernelius N.

Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Вайполин А.А., Боднарь И.В., Fernelius N. Фоточувствительные структуры намонокристаллах CdGa2S4 // ФТП, 2003, том 37, выпуск 11, Стр. 1321

Аннотация Кристаллизацией из расплава и газовой фазы выращены монокристаллы тройного соединения CdGa2S4. Определены параметры кристаллической решетки и некоторые физические свойства однородных кристаллов, имеющих решетку дефектного халькопирита с точечной группой симметрии I4(S24). На указанных монокристаллах впервые созданы фоточувствительные структуры: барьеры Шоттки, гетероструктуры, фотоэлектрохимические ячейки и барьеры естественный белок--- CdGa2S4. Исследованы фотоэлектрические свойства полученных структур в естественном и линейно-поляризованном свете при T=300 K. Определены основные параметры структур и сделан вывод о возможности их применения в фотосенсорах оптического излучения.