Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияБелорусский государственный университет информатики ирадиоэлектроники, 220072 Минск, Белоруссия * Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия + Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академ ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Фоточувствительные структуры накристаллахIn2S3

Боднарь И.В., Полубок В.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В.

Боднарь И.В., Полубок В.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. Фоточувствительные структуры накристаллахIn2S3 // ФТП, 2003, том 37, выпуск 11, Стр. 1346

Аннотация Методом направленной кристаллизации расплава выращены кристаллы соединенияIn2S3. Определены состав иструктура полученных кристаллов иихэлектрофизические характеристики. Наоснове выращенных кристаллов впервые созданы фоточувствительные структуры иизмерены спектральные зависимости квантовой эффективности фотопреобразования ячеек H2O/In2S3. Обсуждается характер межзонного поглощения иоценены энергии прямых инепрямых оптических переходов для кристалловIn2S3. Указана возможность применения кристалловIn2S3 вширокодиапазонных (1.5-3.5 эВ) фотопреобразователях неполяризованного излучения, втом числе вразработках солнечных элементов.