Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 Организация+ Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Industrial Technology Research Institute, Hsinchu 310, Taiwan, R.O.C. &#36; Institute fur Physik, Humboldt Universitat, 10115 Berlin, Germany ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Оптические свойства сверхтонких внедрений соединения GaAsN вGaAs, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии

Крыжановская Н.В., Гладышев А.Г., Ковш А.Р., Сошников И.П., Цацульников А.Ф., Kirmse H., Neumann W., Chi J.Y., Wang J.S., Wei L., Леденцов Н.Н., Устинов В.М.

Крыжановская Н.В., Гладышев А.Г., Ковш А.Р., Сошников И.П., Цацульников А.Ф., Kirmse H., Neumann W., Chi J.Y., Wang J.S., Wei L., Леденцов Н.Н., Устинов В.М. Оптические свойства сверхтонких внедрений соединения GaAsN вGaAs, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии // ФТП, 2003, том 37, выпуск 11, Стр. 1363

Аннотация Исследованы оптические свойства сверхтонких внедрений GaAsN в матрицу GaAs, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии, с целью определения методики намеренного формирования областей локализации носителей в слоях GaAsN. Вслучае осаждения короткопериодной сверхрешетки GaAs/GaAsN, в спектрах фотолюминесценции наблюдается дополнительная линия со стороны больших длин волн. Как следует из сравнения данных оптических исследований и данных просвечивающей электронной микроскопии, линия соответствует излучению из сформировавшихся областей с повышенным содержанием азота (до8.5%). Характерный размер этих обогащенных азотом областей больше в верхних слоях сверхрешетки, чем в нижних, и он увеличивается с числом осажденных слоев.