Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Национальной академии наук Украины, 03028 Киев, Украина * Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Экситонная рекомбинация около края подвижности вCdSe/ZnSe-наноструктурах

Валах М.Я., Лисица М.П., Стрельчук В.В., Вуйчик Н.В., Иванов С.В., Торопов А.А., Шубина Т.В., Копьев П.С.

Валах М.Я., Лисица М.П., Стрельчук В.В., Вуйчик Н.В., Иванов С.В., Торопов А.А., Шубина Т.В., Копьев П.С. Экситонная рекомбинация около края подвижности вCdSe/ZnSe-наноструктурах // ФТП, 2003, том 37, выпуск 11, Стр. 1374

Аннотация Проведены исследования низкотемпературной фотолюминесценции и комбинационного рассеяния света вCdSe/ZnSe-наноструктурах с единичными CdSe-вставками номинальной толщиной1.5 и3.0 монослоя. Энергетическое положение полосы излучения определяется эффектом интердиффузии Cd иZn в области вставки, а ее форма--- сильным взаимодействием локализованных экситонов с оптическими фононами твердого раствора Zn1-xCdxSe-вставки. Заметную роль играют и многофононные процессы релаксации экситонов, в том числе с участием акустических фононов краев зоны Бриллюэна. Полученные результаты интерпретированы в рамках модели эффективного экситонного края подвижности.