Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Фотодиоды Ge/Si со встроенными слоями квантовых точек Ge дляближней инфракрасной области (1.3-1.5 мкм)

Якимов А.И., Двуреченский А.В., Никифоров А.И., Чайковский С.В., Тийс С.А.

Якимов А.И., Двуреченский А.В., Никифоров А.И., Чайковский С.В., Тийс С.А. Фотодиоды Ge/Si со встроенными слоями квантовых точек Ge дляближней инфракрасной области (1.3-1.5 мкм) // ФТП, 2003, том 37, выпуск 11, Стр. 1383

Аннотация Разработан метод иизготовлены p-i-n-фотодиоды для спектрального диапазона 1.3-1.5 мкм на основе многослойных гетероструктур Ge/Si сквантовыми точками Ge, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на кремниевой подложке. Слоевая плотность квантовых точек составляет 1.2·1012 см-2, размеры точек вплоскости роста~8 нм. Достигнута наименьшая из известных влитературе для фотоприемников Ge/Si величина темнового тока при комнатной температуре (2·10-5 А/см2 при обратном смещении1 В). Получена квантовая эффективность 3% на длине волны1.3 мкм.