Профиль » Публикация

Аннотация При исследовании границы раздела ZnS-CdxHg1-xTe с помощью C-V-характеристик МДП структур на спутниковых образцах в процессе изготовления n+-p-переходов на p-CdxHg1-xTe была получена плотность состояний в пределах Ns\kern-0.2pts=(1-6)· 1011 см-2эВ-1 при T=78 K. Эксперименты показали, что технологические режимы, применяемые при изготовлении n+-p-переходов, слабо изменяют состояние границы раздела ZnS-CdHgTe. Причем отрицательные значения напряжения плоских зон VFB указывают (даже если первоначально после нанесения пленкиZnS было VFB>0) на обогащение приповерхностного слоя ZnS-p-CdHgTe основными носителями, дырками, что приводило к уменьшению тока утечки по поверхности. Получено было также, что при длительном сроке хранения (до~15 лет) на воздухе при комнатной температуре у таких n+-p-переходов с защитной пленкойZnS не деградировали дифференциальное сопротивлениеRd, токовая чувствительностьSi и обнаружительная способностьD*.