Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияФедеральное государственное унитарное предприятие Всероссийский научный центр &#92;glqq Государственный оптический институт им.С.И.Вавилова&#92;grqq, 199034 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Компенсация доноров вобедненном слое кристалловCdF2 сбарьером Шоттки

Щеулин А.С., Купчиков А.К., Ангервакс А.Е., Рыскин А.И.

Щеулин А.С., Купчиков А.К., Ангервакс А.Е., Рыскин А.И. Компенсация доноров вобедненном слое кристалловCdF2 сбарьером Шоттки // ФТП, 2004, том 38, выпуск 1, Стр. 72

Аннотация Исследованы радиочастотный отклик, вольт-фарадные и вольт-амперные характеристики полупроводниковых кристалов n-типа CdF2 : In, CdF2 : Ga и CdF2 : Y с барьером Шоттки. Особенности указанных характеристик объяснены на основе предположения о транспорте заряда из металла в обедненный слой, обусловленном образованием в приконтактной области возбужденийCd0 за счет поставляемых металлом(Au) пар электронов. Эти возбуждения осуществляют компенсацию доноров в слое объемного заряда толщиной порядка микрометра, прилегающего к контакту.