Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, 220072 Минск, Белоруссия * Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия + Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академ ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Структуры на основе полупроводниковых соединений Cu(Ag)InnSm

Боднарь И.В., Полубок В.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Сергинов М.С.

Боднарь И.В., Полубок В.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Сергинов М.С. Структуры на основе полупроводниковых соединений Cu(Ag)InnSm // ФТП, 2004, том 38, выпуск 2, Стр. 202

Аннотация Методом направленной кристаллизации расплава выращены кристаллы тройных соединений CuIn7S11, CuIn11S17 и AgIn11S17. На основании измерения кинетических коэффициентов определены тип проводимости, удельное сопротивление, концентрация электронов и холловская подвижность носителей заряда, что позволяет отнести полученные вещества к полупроводниковым материалам. Установлена возможность и созданы первые фоточувствительные структуры на основе выращенных соединений. Определены фотоэлектрические параметры полученных твердотельных поверхностно-барьерных структур и фотоэлектрохимических ячеек, обсуждается характер межзонных переходов и оценена ширина запрещенной зоны новых полупроводников. Показано, что разработанные структуры могут применяться в фотодетекторах естественного излучения.