Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияБелорусский государственный университет, 220050 Минск, Белоруссия * Институт физики микроструктур Российской академии наук, 603950 Нижний Новгород, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Нелинейная генерация дальнего инфракрасного излучения вдвухчастотных полупроводниковых лазерах

Афоненко А.А., Алешкин В.Я., Дубинов А.А.

Афоненко А.А., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Нелинейная генерация дальнего инфракрасного излучения вдвухчастотных полупроводниковых лазерах // ФТП, 2004, том 38, выпуск 2, Стр. 244

Аннотация Рассмотрена нелинейная генерация разностной моды в инжекционном полупроводниковом лазере. Предложена конструкция лазера на основе гетероструктуры InGaAs--GaAs--InGaP, обеспечивающая генерацию двух лазерных мод в диапазоне1 мкм и разностной плазменной моды в диапазонах 15--35 и45--80 мкм. Показано, что в лазере с шириной волновода100 мкм при мощностях коротковолновых мод10 Вт мощность разностной моды при комнатной температуре может быть ~1 мкВт.