Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, 198103 Санкт-Петербург, Россия + Humboldt University of Berlin, D-12489 Berlin, Germany = ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Структурные и оптические свойства гетероструктур сквантовыми точками InAs вквантовой яме InGaAsN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии

Сошников И.П., Крыжановская Н.В., Леденцов Н.Н., Егоров А.Ю., Мамутин В.В., Одноблюдов В.А., Устинов В.М., Горбенко О.М., Kirmse H., Neumann W., Bimberg D.

Сошников И.П., Крыжановская Н.В., Леденцов Н.Н., Егоров А.Ю., Мамутин В.В., Одноблюдов В.А., Устинов В.М., Горбенко О.М., Kirmse H., Neumann W., Bimberg D. Структурные и оптические свойства гетероструктур сквантовыми точками InAs вквантовой яме InGaAsN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии // ФТП, 2004, том 38, выпуск 3, Стр. 354

Аннотация Представленны результаты исследований структурных и оптических свойств гетероструктур на основе GaAs со слоями квантовых точек InAs, заращенных квантовыми ямами InGaAsN. Методами просвечивающей электронной микроскопии изучено влияние толщины слоя InGaAsN, а также содержания и распределения азота внем на размеры нановключений и характер и плотность дефектов вструктуре. Показано, что размеры нанодоменов InAs и констраст рассогласования постоянных решетки вструктурах, содержащих азот, выше, чем вструктурах, не содержащих азота. Продемонстрирована корреляция длины волны люминесценции сразмерами и составом нанодоменов. Показана корреляция интенсивности излучения и плотности дефектов вструктуре.